Микро-прорыв СИД, субстрат кремния запусков силы решетки основанная ИнГаН тройная эпитаксия цвета

Недавно Lattice Power выпустила результаты InGaN на основе красного, зеленого и синего серий трех основных цветов Micro LED эпитаксиальной технологии на 12-дюймовой кремниевой подложке.

Решетчатый индикатор мощности 12-дюймовой силиконовой подложки Красный, зеленый и синий свет на основе InGaN Светодиодный эпитаксиальный вафельный эффект быстрой проверки EL-освещения

Сообщается, что Lattice Power была основана в 2006 году и является полноотраслевым поставщиком полупроводниковых оптоэлектронных продуктов IDM с базовой технологией чипа. Он предоставляет высококачественные светодиодные (эпитаксиальные, чип, упаковка и модуль) источники света и сенсорные продукты и решения для глобальных клиентов.

Основываясь на почти 20-летнем использовании светодиодной технологии на основе кремниевой подложки GaN и промышленного накопления, Crystal Energy Optoelectronics запустила 8-дюймовую кремниевую подложку InGaN с эпитаксиальной технологией красного света уже в 2020 году. В настоящее время он все еще постоянно исследует и разрабатывает, чтобы повысить эффективность красного света InGaN.
В сентябре 2021 года компания Crystal Energy Optoelectronics успешно подготовила кремниевую подложку InGaN красного, зеленого и синего микро-светодиодов с расстоянием между пикселями 25 микрон и плотностью пикселей 1000PPI. В настоящее время важный технический показатель расстояния между пикселями уменьшен до 8 микрометров.

В 2022 году Crystal Energy Optoelectronics прорвалась через ключевую технологию триколорной микро-светодиодной эпитаксии на 8-дюймовых кремниевых подложках на основе InGaN и успешно подготовила трехцветные матрицы Micro LED с шагом 5 микрон, активно выходя на развивающиеся рынки.

Lattice Power заявила, что, благодаря стоимости и доходности, модернизация до крупногабаритных пластин стала определенной тенденцией развития в индустриализации Micro LED, что также соответствует постоянному стремлению компании к инновациям в области светодиодных технологий на основе GaN на кремниевых подложках. Крупноразмерные вафли могут не только значительно улучшить норму использования микро-вафель СИД эпитаксиальных и бакпланес КМОС, но также облегчить совместимость с зрелыми приборами и процессами ИК кремния, улучшить микро-отростчатую эффективность СИД, уменьшить цены, и ускорить ход коммерчески процесса микро-технологии СИД.

По словам д-ра Фу И, вице-президента Lattice Power, эпитаксиальный рост микро светодиодов на кремниевых подложках большого размера создает более серьезные проблемы для развития ключевых технологий, таких как качество кристаллов GaN, эпитаксиальное искривление, внешняя квантовая эффективность, фотоэлектрическая согласованность и красный MQW InGaN.
Выпуск индустриализации и эпитаксиальной технологии красных, зеленых и синих микро-светодиодов на основе InGaN на 12-дюймовой кремниевой подложке указывает на то, что Jingneng Optoelectronics воспользовалась своими инновационными и итеративными возможностями в кремниевой подложке Светодиодная технология на основе GaN и предварительно преодолела ключевые технические проблемы, упомянутые выше, Прокладывая путь для оптимизации и совершенствования последующих технологий и процессов.

Lattice Power также заявила, что запуск Apple Vision Pro в этом году принес большую популярность мировой индустрии AR/VR, но Vision Pro не будет конечной точкой. Ожидания людей для облегченной и эффективной носимой технологии дисплея будут все больше и больше восторженными, которые значительно повысят нововведение и применение различных микро-технологий дисплея.

Маршрут процесса Micro LED на основе кремниевых подложек большого размера имеет большой потенциал с точки зрения стоимости, выхода и световой эффективности и, как ожидается, станет основным маршрутом индустриализации для микро светодиодов микрометрового уровня. Прорыв в трех основных цветах Micro LED эпитаксиальной технологии 12-дюймовых кремниевых подложек будет эффективно способствовать развитию технологии Micro LED дисплеев в этом направлении.